Модуль памяти Kingston KVR16N11S8/4
1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 Гб
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
объем модуля 4 Гб
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
Характеристики
Производитель | Kingston |
Тип памяти | DDR3 |
Форм-фактор | DIMM |
Объем | 4096 |
Тактовая частота | 1600 Мгц |
Пропускная способность | 12800 Мб/с |
Количество контактов | 240-контактный |
CAS Latency (CL) | 11 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 11 |
Row Precharge Delay (tRP) | 11 |
ECC | Нет |
Registered | Нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | Нет |
Напряжение питания | 1.5 В |
Дополнительно | 8, односторонняя упаковка |
Гарантия | 8 мес. |
Модуль памяти Kingston KVR16N11S8/4 отзывы
Об этом товаре отзывов пока нет. Будьте первым!
Поделиться: