Оперативная память Hynix DDR4 2666 SO-DIMM 4Gb HMA851S6CJR6N
Описание
Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 1х8 ГБ и 260-контактным модулем SODIMM.
Предельная частота работы устройства достигает 2666 МГц, а пропускная способность – 21300 Мб/с.
Артикул производителя (Part Number) HMA851S6CJR6N-VKN0
Основные характеристики
Стандарт DDR4
Форм-фактор SODIMM
Объем одного модуля 4 ГБ
Количество модулей в комплекте 1 шт
Суммарный объем 4 ГБ
Эффективная частота 2666 МГц
Пропускная способность 21300 Мб/с
Поддержка ECC Нет
Буферизованная (регистровая) Нет
Низкопрофильная Нет
Количество контактов 260
CAS Latency (CL) 19
Напряжение питания 1.2 В
Нормальная операционная температура (Tcase) 85 °C
Радиатор Нет
Габариты 69.6 x 30 мм
Характеристики
| Производитель | Hynix |
| Тип памяти | DDR4 |
| Форм-фактор | SODIMM 260-контактный |
| Объем | 4096 |
| Тактовая частота | 2666 МГц |
| Пропускная способность | 21300 Мб/с |
| CAS Latency (CL) | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
| ECC | Нет |
| Registered | Нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | Нет |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Вес | 0.19 кг |
| Гарантия | 12 мес |