8 (495) 740-32-09
client@paritet94.ru
 
Прием звонков и обработка заказов с 10-00 до 20-00 ежедневно
Ваш город: Москва
Москва ваш город?
Да
Выбрать другой город
 

Оперативная память Hynix DDR4 2666 SO-DIMM 4Gb HMA851S6CJR6N

для любых современных ноутбуков PC4-21300 2666MHz CL19 1.2V 1Rx16
Артикул: 203694
В наличии: 58 шт.
Информация о доставке
Доставка курьером по Москве
Завтра
350 р
От 5 кг 500 р

Описание

Оперативная память произведена с учетом требований современных компьютерных систем, что гарантирует ее универсальность и надежность. Модуль относится к классу DDR4, обладает емкостью 1х8 ГБ и 260-контактным модулем SODIMM. 

Предельная частота работы устройства достигает 2666 МГц, а пропускная способность – 21300 Мб/с.

Артикул производителя (Part Number) HMA851S6CJR6N-VKN0

Основные характеристики

Стандарт DDR4


Форм-фактор SODIMM


Объем одного модуля 4 ГБ


Количество модулей в комплекте 1 шт

 
Суммарный объем 4 ГБ


Эффективная частота 2666 МГц


Пропускная способность 21300 Мб/с


Поддержка ECC Нет


Буферизованная (регистровая) Нет


Низкопрофильная Нет


Количество контактов 260

CAS Latency (CL) 19

Напряжение питания 1.2 В


Нормальная операционная температура (Tcase) 85 °C


Радиатор Нет


Габариты 69.6 x 30 мм

Характеристики

ПроизводительHynix
Тип памятиDDR4
Форм-факторSODIMM 260-контактный
Объем, Мб4096
Тактовая частота2666 МГц
Пропускная способность21300 Мб/с
CAS Latency (CL)19
RAS to CAS Delay (tRCD)19
Row Precharge Delay (tRP)19
ECCНет
RegisteredНет
Низкопрофильная (Low Profile)Нет
Напряжение питания1.2 В
Вес брутто0.19 кг
Гарантия12 мес

Оперативная память Hynix DDR4 2666 SO-DIMM 4Gb HMA851S6CJR6N отзывы

Об этом товаре отзывов пока нет. Будьте первым!
Поделиться:
Контакты
Ваш город: Москва
Москва ваш город?
Да
Выбрать другой город
Our address:
г. Москва, Проспект Буденного д. 53с2 пав. Д-9
Мы работаем ежедневно 10:00—20:00
+7 (495) 740-32-09