Модуль памяти для сервера DDR4 8Gb Samsung (2133Mhz, ECC) M391A1G43DB0-CPBQ
Описание
Модуль памяти для сервера DDR4 8Gb Samsung (2133Mhz, ECC) M391A1G43DB0-CPBQ
Внимание!
Данная память производится из чипов как SAMSUNG так и SK HY
все планки памяти ПОЛНОСТЬЮ совместимы
более того, планки прекрасно понимаются простыми платами С232/236 с Xeon V5/V6 начиная от Asus Gaming G3
Стандарт
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Объем одного модуля
8 ГБ
Количество модулей в комплекте
1 шт
Суммарный объем
8 ГБ
Эффективная частота
2133 МГц
Пропускная способность
17000 Мб/с
Поддержка ECC
Есть
Буферизованная (регистровая)
Нет
Низкопрофильная
Нет
Количество чипов на модуле
18 шт
Количество контактов
288
Тайминги
CAS Latency (CL)
15
RAS to CAS Delay (tRCD)
15
Row Precharge Delay (tRP)
15
Activate to Precharge Delay (tRAS)
36
Дополнительные характеристики
Напряжение питания
1.2 В
Нормальная операционная температура (Tcase)
85 °C
Расширенная операционная температура (Tcase)
95 °C
Компоновка чипов на модуле
Двусторонняя
Радиатор
Нет
Вид поставки
OEM
Габариты
133.35 x 31.25 мм
Ссылки
Ссылка на описание на сайте производителя www.samsung.com
Характеристики
Производитель | Samsung |
Тип памяти | DDR4 |
Форм-фактор | DIMM |
Объем | 8192 |
Тактовая частота | 2133 МГц |
Пропускная способность | 17000 Мб/с |
Количество контактов | 288 |
CAS Latency (CL) | 15 |
RAS to CAS Delay (tRCD) | 15 |
Row Precharge Delay (tRP) | 15 |
Activate to Precharge Delay (tRAS) | 36 |
ECC | Да |
Registered | Нет |
Низкопрофильная (Low Profile) | Нет |
Напряжение питания | 1.2 В |
Количество чипов каждого модуля | 18 |
Количество ранков | Двусторонняя |
Буферизация | unbuffered |
Вес | 0.15 кг |
Дополнительно | Комплект: документация и сама планка памяти (Samsung) M391A1G43DB0-CPB 8шт Sk Hy HMA41GU7AFR8N-TF 6 шт |
Гарантия | 12 |
Поддержка ECC | поддерживается |